問(wèn)答題解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
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1.問(wèn)答題給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么?
2.問(wèn)答題光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處?
4.問(wèn)答題例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
5.問(wèn)答題描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率之間的關(guān)系。
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
題型:填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題