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問答題敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

1.問答題哪種化學氣體經常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

2.問答題定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

3.問答題例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

連續(xù)噴霧顯影，旋覆浸沒顯影顯影溫度，顯影時間，顯影液量，硅片洗盤，當量濃度，清洗，排風。

4.問答題解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

光刻膠選擇比是指顯影液與曝光的光刻膠反應的速度快慢，選擇比越高，反應速度越快，所以要比例高。

5.問答題解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

光刻膠顯影是指用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域，其主要目的是把掩膜版圖形準確復制到光刻膠中。