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問答題采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。

1.問答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？

2.問答題 下圖為一個(gè)典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標(biāo)識(shí)部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

3.問答題 Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

4.問答題一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？

5.問答題簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。