問(wèn)答題
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見(jiàn)下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？
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5.問(wèn)答題
以P2O2為例說(shuō)明SiO2的掩蔽過(guò)程。
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