問答題簡(jiǎn)述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO2介質(zhì)薄膜的動(dòng)力學(xué)過程,并說明在什么情況下氧化過程由反應(yīng)控制或擴(kuò)散控制。
您可能感興趣的試卷
最新試題
例出光刻的8個(gè)步驟,并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型:?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
干法刻蝕的目的是什么?例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是硅化物?難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率之間的關(guān)系。
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
題型:?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率?
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
題型:?jiǎn)柎痤}