問(wèn)答題從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。
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5.問(wèn)答題典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡(jiǎn)述各步驟的作用。
最新試題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
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解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
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什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
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例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？
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