單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至（），抗壓強(qiáng)度精確至（）。
A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中做抗折強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)以（）N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50～150
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長(zhǎng)度減去（），但規(guī)格長(zhǎng)度為190mm的磚，其跨距為（）。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的磚樣應(yīng)進(jìn)行處理，處理方式為將非燒結(jié)磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進(jìn)行抗折試驗(yàn)。
A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為（），下支輥應(yīng)有一個(gè)為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
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