A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm立方體
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×600mm立方體
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、100×100×100mm立方體
D、Φ150×300mm圓柱體
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
可用作硅片的研磨材料是()
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()