A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長(zhǎng)、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
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最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()