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填空題如果淀積的膜在臺階上過度地變薄，就容易導致高的（）、（）或者在器件中產生不希望的（）。

1.填空題在外延工藝中，如果膜和襯底材料（），例如硅襯底上長硅膜，這樣的膜生長稱為（）；反之，膜和襯底材料不一致的情況，例如硅襯底上長氧化鋁，則稱為（）。

2.填空題縮略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是（）、（）、高密度等離子體化學氣相淀積和（）。

3.填空題淀積膜的過程有三個不同的階段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

4.填空題目前常用的CVD系統(tǒng)有（）、（）和（）。

5.填空題立式爐的工藝腔或爐管是對硅片加熱的場所，它由垂直的（）、（）和（）組成。