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填空題熱擴(kuò)散利用（）驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（）和（）的影響。

1.填空題硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。

2.填空題集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。

3.填空題擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。

4.填空題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。

5.填空題擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，分為三種形態(tài)（）擴(kuò)散、（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散。