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判斷題旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍應用于平坦化和填充縫隙。

1.判斷題20世紀90年代初期使用的第一臺CMP設備是用樣片估計拋光時間來進行終點檢測的。

2.判斷題CMP帶來的一個顯著的質量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現的微擦痕導致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

3.判斷題在CMP設備中被廣泛采用的終點檢測方法是光學干涉終點檢測。

4.判斷題電機電流終點檢測不適合用作層間介質的化學機械平坦化。

5.判斷題反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術，它能夠實現全局平坦化。