判斷題高密度等離子體刻蝕機是為亞0.25微米圖形尺寸而開發(fā)的最重要的干法刻蝕系統(tǒng)。
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最新試題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？
題型：問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
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半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題