單項(xiàng)選擇題磚砌體組砌方法應(yīng)正確,內(nèi)外搭砌,上下錯(cuò)縫。混水墻中不得有長(zhǎng)度大于300mm的通縫,長(zhǎng)度200-300mm的通縫每間不超過(guò)()處,且不得位于同一面墻體上。
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
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1.單項(xiàng)選擇題在抗震設(shè)防烈度為8度及8度以上地區(qū),對(duì)不能同時(shí)砌筑而又必須六只的臨時(shí)間斷處應(yīng)砌成斜槎,普通磚砌體斜槎水平投影長(zhǎng)度不應(yīng)小于高度的()。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
2.單項(xiàng)選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家,燒結(jié)普通磚、混凝土實(shí)心磚沒(méi)()為一檢驗(yàn)批,不足數(shù)量時(shí)按1批計(jì),抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬(wàn)塊
B.10萬(wàn)塊
C.15萬(wàn)塊
D.20萬(wàn)塊
3.單項(xiàng)選擇題夾心復(fù)合墻的砌筑,拉結(jié)件設(shè)置應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求,拉結(jié)件在葉墻上的擱置長(zhǎng)度不應(yīng)小于葉墻厚度的2/3,并不應(yīng)小于()。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
4.單項(xiàng)選擇題配置砌筑砂漿時(shí),各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計(jì)量,水泥及各種外加劑配料的允許偏差為()。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
5.單項(xiàng)選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計(jì),當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時(shí),其砂漿稠度應(yīng)為()。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題