A.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的,n個測點,在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點(試件)
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測點:門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體;獨立磚柱和窗間墻
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A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()