A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
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A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應小于0.62m,垂直方向凈距不應小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的,n個測點,在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點(試件)
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為6~10mm
D.下列部位不應布設測點:門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體;獨立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
可用作硅片的研磨材料是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法