A、一般情況下,用理論方法計(jì)算,即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)破壞荷載值
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A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測(cè)試結(jié)果
D、保證方便
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。