問答題
電路如下圖所示，集成運(yùn)放均為理想運(yùn)放，試寫出輸出電壓Uo1，Uo2，Uo的表達(dá)式。
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，T1和T2的性能一致，死區(qū)影響和UCES均可忽略。試求：輸出功率Po，電源消耗功率PV及能量轉(zhuǎn)換效率η，每管功耗PT。
最新試題
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：判斷題
?verilog語法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí)，使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對(duì)應(yīng)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
題型：多項(xiàng)選擇題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
題型：判斷題
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
題型：判斷題