問(wèn)答題
解釋圖中現(xiàn)象的原因和敘述流程
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1.問(wèn)答題
識(shí)別該圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述
2.問(wèn)答題金屬導(dǎo)電層和絕緣介質(zhì)層兩部分組成什么系統(tǒng)？
3.問(wèn)答題干法刻蝕有哪幾種？相應(yīng)的內(nèi)容是什么？
4.問(wèn)答題什么是干法刻蝕？什么是濕法刻蝕？比較二者的優(yōu)缺點(diǎn)。
5.問(wèn)答題光刻的本質(zhì)是什么？
最新試題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題