問(wèn)答題
若計(jì)劃用圖示中掩膜版上黑色區(qū)域在硅片上制作擴(kuò)散區(qū)，光刻時(shí)需要使用哪種光刻膠？為什么？并簡(jiǎn)介光刻操作流程。
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1.問(wèn)答題
解釋圖中現(xiàn)象的原因和敘述流程
3.問(wèn)答題金屬導(dǎo)電層和絕緣介質(zhì)層兩部分組成什么系統(tǒng)？
4.問(wèn)答題干法刻蝕有哪幾種？相應(yīng)的內(nèi)容是什么？
5.問(wèn)答題什么是干法刻蝕？什么是濕法刻蝕？比較二者的優(yōu)缺點(diǎn)。
最新試題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題