單項(xiàng)選擇題

如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)VDD=+24V，RD=1.2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的IDSS=9mA，VP=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）

A.VGS=4.5V，ID=9mA
B.VGS=－4.5V，ID=4.5mA
C.VGS=0V，VGS=18.6V
D.VGS=0V，VDS=4.5V
E.VGS=0V，VDS=13.2V


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2.單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí)，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B

4.單項(xiàng)選擇題若晶體管位于截止區(qū)，則電壓特性為（）

A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏

5.單項(xiàng)選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）

A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏