單項選擇題
如圖所示,晶體管之β=40,使晶體管飽和之最小IB為?()
A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA
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1.單項選擇題制作晶體管時,各接腳區(qū)的摻雜濃度為()
A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B
2.單項選擇題有α值為0.99的晶體管,若射極電流變化2mA,VCB固定,則集極電流變化為()mA.
A.0.02
B.1.98
C.0.495
D.2.54
3.單項選擇題若晶體管位于截止區(qū),則電壓特性為()
A.VEB順偏,VCB順偏
B.VEB順偏,VCB逆偏
C.VEB逆偏,VCB逆偏
D.VEB逆偏,VCB順偏
4.單項選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)(active-region),則()
A.基射接面需順偏,基集接面需順偏
B.基射接面需順偏,基集接面需反偏
C.基射接面需反偏,基集接面需順偏
D.基射接面需反偏,基集接面需反偏
5.單項選擇題晶體管放電路之功率增益為AP,電壓增益為AV,電流增益為AI,三者之關(guān)系為AP=AV·AI,試問下列何種電路何功率增益AP最高?()
A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是
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