問答題簡述影響氧化速率的因素？
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下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝對準誤差包括（）。
題型：多項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題