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問答題二維電子氣是如何形成的？

當(dāng)半導(dǎo)體表面上加一個(gè)與表面垂直的電場，在表面附近形成電子勢阱，就會(huì)積累起大量的電子

1.問答題高電子遷移率晶體管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子，即二維電子氣。

2.問答題進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么？

改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力

3.問答題為什么說柵長是MESFET的重要參數(shù)？

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域

4.問答題MESFET的有源層是如何形成的？它的導(dǎo)電溝道是如何控制的？

5.問答題HBT的主要優(yōu)點(diǎn)是什么？適于何種應(yīng)用？

HBT具有很強(qiáng)的電流驅(qū)動(dòng)能力；適用于模擬信號的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)。