A.干氧 B.濕氧 C.水汽氧化
最新試題
摻雜后，退火的目的是（）。
光刻工藝的特點包括（）。
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
常壓的硅外延方法有（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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