單項(xiàng)選擇題離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個(gè)橫向效應(yīng)?。ǎ?/strong>
A. 離子注入
B. 熱擴(kuò)散
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1.單項(xiàng)選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
2.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
3.名詞解釋歐姆接觸
4.問答題簡述電子束曝光的特點(diǎn)
最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題