填空題半導(dǎo)體的中，（）稱(chēng)為費(fèi)米能級(jí)；對(duì)本征半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)位于（），表示（）。費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶，表示（），是（）型半導(dǎo)體；費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶，表示（），是（）型半導(dǎo)體。
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1.問(wèn)答題畫(huà)出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。
4.填空題半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）
5.填空題集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題