填空題PN結(jié)的正向電流由()電流、()電流和()電流三部分所組成。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
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光刻工藝的設(shè)備核心是()。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
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影響封裝芯片特性的溫度有()。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為()。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題