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填空題在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)（），它對(duì)少子在基區(qū)中的運(yùn)動(dòng)起到（）的作用，使少子的基區(qū)渡越時(shí)間（）。

1.填空題某長(zhǎng)方形薄層材料的方塊電阻為100Ω，長(zhǎng)度和寬度分別為300μm和60μm，則其長(zhǎng)度方向和寬度方向上的電阻分別為（）和（）。若要獲得1KΩ的電阻，則該材料的長(zhǎng)應(yīng)改變?yōu)椋ǎ?/a>

2.填空題在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)摻雜濃度。

3.填空題晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（）結(jié)正偏、（）結(jié)零偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

4.填空題晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。

5.填空題晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)摻雜濃度。