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單項選擇題有關(guān)MOSFET下列何者為非？（）

A.輸入阻抗極低，有極高扇出數(shù)
B.集成電路所占體積小
C.O”是指二氧化硅層
D.可作雙向?qū)ΨQ開關(guān)

1.單項選擇題場效晶體管的放大電路中，何種組態(tài)的輸出信號為反相？（）

A.共源極（CS）
B.共汲極（CD）
C.共閘極（CG）
D.以上皆非

2.單項選擇題 如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設V_DD=+24V，R_D=1.2kΩ，R_G=10MΩ，MOSFET的ID_SS=9mA，V_P=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）

A.V_GS=4.5V，I_D=9mA
B.V_GS=－4.5V，I_D=4.5mA
C.V_GS=0V，V_GS=18.6V
D.V_GS=0V，V_DS=4.5V
E.V_GS=0V，V_DS=13.2V

3.單項選擇題 如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小I_B為？（）

A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA

4.單項選擇題制作晶體管時，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B

5.單項選擇題有α值為0.99的晶體管，若射極電流變化2mA，V_CB固定，則集極電流變化為（）mA.

A.0.02
B.1.98
C.0.495
D.2.54