集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.26)

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1.問(wèn)答題形成SOI材料的主要技術(shù)是什么？

注氧隔離技術(shù)、鍵合減薄技術(shù)、智能剝離技術(shù)。

2.問(wèn)答題什么是圖元？

圖元：工藝能夠制造的有源元件和無(wú)源元件的版圖作為工藝圖形單元

3.問(wèn)答題采用屏蔽技術(shù)會(huì)帶來(lái)哪些缺點(diǎn)？

布線變復(fù)雜、信號(hào)線與地線間的寄生電容增加

4.問(wèn)答題硅基最先進(jìn)的工藝線晶圓直徑已達(dá)到多少？

12英寸

5.問(wèn)答題什么是隨機(jī)失配？

隨機(jī)失配是指由于元器件尺寸、摻雜濃度、氧化層厚度等影響元器件特性的參量發(fā)生微觀波動(dòng)所引起的失配

6.問(wèn)答題硅片研磨及清洗后為什么要進(jìn)行化學(xué)腐蝕？

工序目的：去除表面因加工應(yīng)力而形成的損傷層及污染

7.問(wèn)答題熱氧化常見(jiàn)的缺陷有？

表面缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷、氧化層中的電荷

8.問(wèn)答題哪種BiCMOS工藝用的較多？為什么？

雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝用的多
影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。

9.問(wèn)答題什么是多芯片組件CMC技術(shù)？

參考答案：將多個(gè)裸片形式的集成電路芯片和其他片式元器件組裝在一塊多層互連基板上，然后封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，組成一個(gè)具有設(shè)計(jì)復(fù)雜功能的電...

10.問(wèn)答題集成電路封裝工藝流程有哪些？

劃片、分類(lèi)、管芯鍵合、引線壓焊、密封、管殼焊接、塑封、測(cè)試