最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
題型：問答題
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型：問答題
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
題型：問答題
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型：問答題
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
題型：問答題
什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？
題型：問答題
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
題型：問答題
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。
題型：問答題
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
題型：問答題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：問答題