91在线无码精品秘密入口,69国产超级乱婬Aⅴ片

判斷題基區(qū)主擴散屬于有限表面源擴散。

1.判斷題預(yù)淀積擴散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量，而再分布擴散是為了達(dá)到需要的擴散深度并同時在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。

2.判斷題二氧化硅膜能有效的對擴散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)。

3.判斷題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。

4.判斷題在常規(guī)熱氧化工藝中干氧氧化的速度最快。

5.判斷題溫度對氧化速率常數(shù)A、B都有影響，壓強只影響氧化速率常數(shù)B。