填空題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用()系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。
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雙極晶體管的高頻參數(shù)是()。
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禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易,一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬,所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。
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在突緣電阻焊工藝中,要獲得良好的焊接質(zhì)量,必須確定的基本規(guī)范包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用()化合物,經(jīng)過熱分解反應(yīng),在基片表面淀積二氧化硅。
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厚膜元件燒結(jié)時(shí),漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能(),從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
題型:單項(xiàng)選擇題
簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性?
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雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜,但主要可分為()擴(kuò)散和()擴(kuò)散兩種。
題型:填空題
常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用()。
題型:單項(xiàng)選擇題
平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的()。壓力太大,電阻值下降,對形成焊點(diǎn)不利,焊輪壓力太小,則造成接觸不良,不但形不成良好點(diǎn)。
題型:單項(xiàng)選擇題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
題型:問答題