A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
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A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時(shí)間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時(shí)間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列是晶體的是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。