最新試題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
常壓的硅外延方法有（）。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現圖形的轉移？（）
摻雜后，退火的目的是（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。