判斷題從電路原理受控源的角度本質(zhì)上看，工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質(zhì)等效為電壓控制電流源。
您可能感興趣的試卷
最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題