填空題寫出三種半導(dǎo)體制造業(yè)的金屬和合金()、()和()。
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在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:問答題
在晶體材料中,對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題