判斷題85%以上的單晶硅是采用CZ直拉法生長出來的。
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在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
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MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項(xiàng)選擇題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題