最新試題

在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

題型:問答題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。

題型:問答題

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。

題型:多項(xiàng)選擇題

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?

題型:問答題

MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

題型:多項(xiàng)選擇題

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。

題型:多項(xiàng)選擇題

試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。

題型:問答題

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。

題型:多項(xiàng)選擇題

什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?

題型:問答題