單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊砌體工程中，每一生產(chǎn)廠家，每（）小切塊為一驗(yàn)收批，不足數(shù)量時(shí)按一批計(jì)，抽檢數(shù)量為1組。

A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊


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3.單項(xiàng)選擇題磚砌體基礎(chǔ)、墻、柱頂面標(biāo)高允許偏差為（）。

A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm

4.單項(xiàng)選擇題原位單磚雙剪法在測(cè)區(qū)內(nèi)選擇測(cè)點(diǎn)，以下規(guī)定哪個(gè)符合（）。

A.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測(cè)區(qū)隨機(jī)布置的，n個(gè)測(cè)點(diǎn)，在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測(cè)點(diǎn)（試件）
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6～10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn)：門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)，后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體；獨(dú)立磚柱和窗間墻

最新試題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

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對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

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硅片拋光在原理上不可分為（）

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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

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表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

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PN結(jié)的基本特性是（）

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