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A、相
B、組元
C、組織
D、以上答案都對
A、抗拉強度
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A.加工硬化
B.晶格改變
C.纖維組織
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A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應(yīng)力狀態(tài)
D、以上答案都對
A、靜載荷
B、沖擊載荷
C、交變載荷
D、以上答案都對
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
改良西門子法的顯著特點不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；