問答題簡述正膠和負膠顯影效果
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題