單項選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括()
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
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1.單項選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較,()
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
2.單項選擇題下列氧化物中,加入過量會使玻璃的料性變短的是()
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
3.單項選擇題扎哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧多面體應當相互()
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯
4.單項選擇題能夠單獨形成玻璃網絡形成體的單鍵能一般大于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
5.單項選擇題玻璃熔制的主要設備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題