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填空題干法刻蝕的方式主要有：濺射刻蝕、等離子體刻蝕、（）刻蝕三種。

1.填空題多組分多源蒸發(fā)的方法有：同時蒸發(fā)，（）蒸發(fā)兩種。

2.填空題制備TiO₂等介質(zhì)薄膜可以采用（）濺射方法。

3.填空題在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時，硅片增厚了（）μm。

4.填空題?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅（）發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。

5.填空題低壓氣相外延能降低（）效應(yīng)，從而降低了外延時的雜質(zhì)再分布。