填空題多組分多源蒸發(fā)的方法有：同時(shí)蒸發(fā)，（）蒸發(fā)兩種。
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5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說(shuō)法正確？（）
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
最新試題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題