最新試題
有A和B兩種單質(zhì)晶體,我們知道A的晶格常數(shù)是5Å,帶隙是1.2eV,B的晶格常數(shù)是4Å,其帶隙有可能是()eV
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。
題型:判斷題
本征光電導(dǎo)
題型:名詞解釋
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
題型:判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型:名詞解釋
MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)()極電壓來(lái)控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型:判斷題
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體,所以叫PMOS。
題型:判斷題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大,晶格常數(shù)也更大。
題型:判斷題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型:判斷題