問(wèn)答題影響擴(kuò)散工藝中雜質(zhì)分布的因素
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摻雜后，退火的目的是（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題