A、相距3mm
B、相距5mm
C、相距10mm
D、緊貼
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A、防止與石墨層打火放電
B、散熱
C、便于安裝
D、便于維修
A、帶防靜電手環(huán)
B、與地絕緣
C、帶絕緣手套
D、不帶任何手
A、電容器
B、二極管
C、場效應(yīng)管
D、中周
A、瓷片電容
B、高壓包
C、大功率三極管
D、熱敏電阻
A、小功率三極管
B、電源變壓器
C、瓷片電容
D、0.125瓦電阻器
最新試題
下列哪一項(xiàng)不屬于導(dǎo)線整機(jī)布線應(yīng)遵循的要求()
城堡型器件的焊接應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求,底部焊料填充厚度,應(yīng)為()
使用錫鍋對導(dǎo)線芯線進(jìn)行搪錫時(shí)溫度為(),時(shí)間為1s~2s,使用電烙鐵搪錫時(shí)溫度為()搪錫時(shí)間不大于3s。
導(dǎo)線、引線與接線端子焊接時(shí),直徑不小于0.3的導(dǎo)線、引線在接線端子應(yīng)纏繞最少3/4圈,但不能超過();直徑小于0.3的導(dǎo)線,引線最多可繞()
晶體管電路中,電流分配公式是()
無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí),其搪錫溫度為();采用錫鍋搪錫時(shí),其搪錫溫度為()
元器件若安裝在裸露電路之上,引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有()的間隙,但最大距離一般不應(yīng)超過()
電子元器件搪錫前應(yīng)使用()校直元器件引線,引線校直時(shí)不能有夾痕,引線表面應(yīng)無損傷。
下列哪一項(xiàng)符合導(dǎo)線與壓線筒相互匹配的要求()
手工焊接MOS集成電路時(shí)先焊接(),后焊接()