問答題簡要說明正膠和負(fù)膠的關(guān)光刻原理與特性。
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碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題