問答題什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說明。
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1.單項(xiàng)選擇題在光電轉(zhuǎn)換過程中,Si比GaAs量子效率低,因?yàn)槠洌ǎ?/a>
A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型
2.單項(xiàng)選擇題在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長的GaAS具有很高的載流子遷移率,是因?yàn)檫@樣的材料()。
A.無雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好
3.單項(xiàng)選擇題若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高,則該材料是()。
A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體
4.單項(xiàng)選擇題重空穴指的是()。
A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴
5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其()。
A.復(fù)合機(jī)構(gòu)
B.能帶結(jié)構(gòu)
C.晶體結(jié)構(gòu)
D.散射機(jī)構(gòu)
最新試題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題